砷化鎵(GaAs)是一種由鎵(Ga)和砷(As)兩種元素組成的化合物半導體，屬于IIIA族和VA族元素的重要化合物。由于其物理性質和電子特性，砷化鎵在電子行業中扮演著至關重要的角色，廣泛應用于微波集成電路、紅外線發光二極管、半導體激光器和太陽電池等領域。
檢測樣品
在砷化鎵的生產和應用過程中，以下樣品需要進行嚴格檢測：
- 砷化鎵外延片：用于集成電路和其他電子器件的基底材料。
- 單晶：作為半導體器件的基礎材料，其質量直接影響到器件的性能。
- 晶片：經過切割和拋光的單晶片，用于制造各種半導體器件。
- 載流子：指在半導體中負責傳導電流的電子或空穴。
檢測項目
為確保砷化鎵產品的質量和性能，以下檢測項目是重要的：
1. 外形尺寸檢測：確保樣品的尺寸符合設計要求。
2. 表面質量檢測：檢查表面是否有劃痕、污染或其他缺陷。
3. 偏離度檢測：評估樣品的幾何偏離度，確保加工精度。
4. 切口測試：檢查晶片切割的質量和完整性。
5. 電學性能檢測：包括載流子濃度、電阻率、遷移率等參數的測試。
6. 電阻率檢測：評估材料的導電能力。
7. 截面電阻率不均勻性：檢測材料內部電阻率的均勻性。
8. 遷移率測試：衡量載流子在材料中的移動能力。
9. 位錯密度檢測：評估單晶內部的結構完整性。
10. 電學性能測試：包括導電類型、霍爾遷移率等。
檢測標準
為了確保檢測的準確性和標準化，以下是國家標準(GB)和行業標準(SJ)中規定的砷化鎵相關檢測方法：
- GB/T 8757-2006：規定了砷化鎵中載流子濃度的等離子共振測量方法。
- GB/T 8758-2006：提供了砷化鎵外延層厚度的紅外干涉測量方法。
- GB/T 8760-2020：明確了砷化鎵單晶位錯密度的測試方法。
- GB/T 11068-2006：規定了砷化鎵外延層載流子濃度的電容-電壓測量方法。
- GB/T 11093-2007、GB/T 11094-2020：分別涉及液封直拉法和水平法生產的砷化鎵單晶及切割片的標準。
- GB/T 20228-2021、GB/T 25075-2010：分別針對砷化鎵單晶和太陽能電池用砷化鎵單晶的標準。
- SJ 3242-1989、SJ 20714-1998、SJ/T 11497-2015：分別提供了砷化鎵外延片、拋光片亞損傷層的X射線雙晶衍射試驗方法和晶片熱穩定性的試驗方法。
通過遵循這些標準和執行相應的檢測項目，可以確保砷化鎵產品的質量，滿足高性能電子器件的要求，從而推動相關行業的發展。
